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전체강의 > 반도체 > 반도체 공정 집중과정 - Deposition

반도체 공정 집중과정 - Deposition

휴대폰수강가능 컴퓨터수강가능
NCS 수료증 발급
기업
일반
6차시 4주 과정
8대 공정에서의 Deposition
CVD, PVD 각 종류 및 특징, 비교
Equipment environment
Damascene 공정
하태민
선생님

수강대상

직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
교육대상
신입
과장/선임
부장/수석

교재안내

※교재는 환급제외 대상입니다.

(학습자료) 반도체 공정 집중과정 - Deposition

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STEP1 과정유형 선택

사업주훈련

근로자 내일배움카드

일반과정 (비환급)

일반 수강료 예상 수강료 (기업/단체)
43,120
대기업교육비 : 43,120원
예상지원금액 : 15,523원
예상수강료 : 27,597원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

대기업(1000명 이상)

물음표호버

27,597

중견기업교육비 : 43,120원
예상지원금액 : 31,046원
예상수강료 : 12,074원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

중견기업(1000명 미만)

물음표호버

12,074

우선지원대상기업교육비 : 43,120원
예상지원금액 : 34,927원
예상수강료 : 8,193원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.
일반 수강료 예상 수강료
43,120 0
수강료
60,000

STEP2 개강일 선택

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)

※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)
과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
반도체
NCS수료증 발급가능
반도체 공정 집중과정 - Deposition 상시모집 4주 상시 모집중 신청하기
훈련목표
  • 공정/장비/재료/진단/설계 측면으로 반도체 산업을 이해할 수 있다.
  • Step coverage, Aspect ratio, Uniformity, Purity&Density 등 증착 공정의 중요 특성에 대해 설명할 수 있다.
  • Sputtering, Evaporation, Spin On Method 등 물리적 증착의 종류와 각 공정의 특성에 대해 알 수 있다.
  • 화학적 반응을 이용하는 Chemical vapor Deposition과 Platin
훈련대상
  • 반도체 8대 공정 중 Deposition 공정에 집중하여 기본부터 심화까지 다루고 싶은 자
  • Deposition 종류 및 공정/설비 구성에 대해 이해하고자 하는 자
  • PVD/CVD 각 공정 종류 별로 주요 특성을 이해하여 공정 최적화를 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출하고 싶은 자
  • 최근 Deposition 공정의 이슈 및 기술 방향에 대해 인사이트를 얻고자 하는 자
교수진소개
강사
하태민 선생님
학력
국내 유명 대학 전자공학과 출신
경력
現 국내 대학 산학 협력단 연구교수
現 반도체 공정실습교육 진행
前 반도체 기업 대표이사
내용전문가
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
내용전문가
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
수료기준
평가방법 및 수료기준
수료 항목 수료 기준 평가 방법
시험 * 환급(사업주훈련) 과정
100점 만점 기준 60점 이상

* 비환급(일반) 과정
- 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관)
- 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료)
※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다.
- 최종평가
선다형 문제 10문항 출제, 총 100점만점, 배점 각 10점 (총 80%반영)

- 과제
서술형 1문항 출제, 총 100점만점, 배점 100점 (총 20%반영)
진도율 * 환급(사업주훈련) 과정
진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능

* 비환급(일반) 과정
진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능

차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다.
모사답안
훈련내용
차시 차시명 학습 목표 강의 시간
1차시 (depo) 단위공정 최적화하기_What is Semiconductor? - 6.1 공정개선 요구사항을 확인하여 성능개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다.
- 6.2 성능 개선의 요구에 따라 전/후 공정을 고려하여 단위공정을 효율적으로 재구성할 수 있다.
39분
2차시 박막장비 Set-Up하기_Chemical vs Physical - 1.1 각종 CVD와 PVD 장비의 역할을 이해하고, Set-up 장비에 맞는 유틸리티(utility)와 유틸리티 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다.
- 1.2 다양한 박막 장비별로 Wafer Transfer System, Process Chamber 조작, 공정에 따른 적절한 플라즈마(Plasma) 발생방법 선정, Wafer Chuck, 진공펌프 및 적절한 펌프 선정, Chiller, RF Generator, 가스공급장치, Scrubber 등을 이해하고 정상 동작이 되도록 조작할 수 있다.
43분
3차시 (depo) 플라즈마장비 원리 파악하기_Equipment environment - 2.1 플라즈마 종류 및 구성품, 제원(세부사양), 작동 메커니즘(원리)을 검증할 수 있다. 34분
4차시 박막장비 Set-Up하기_Chemical Process - 1.1 각종 CVD와 PVD 장비의 역할을 이해하고, Set-up 장비에 맞는 유틸리티(utility)와 유틸리티 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다.
- 1.2 다양한 박막 장비별로 Wafer Transfer System, Process Chamber 조작, 공정에 따른 적절한 플라즈마(Plasma) 발생방법 선정, Wafer Chuck, 진공펌프 및 적절한 펌프 선정, Chiller, RF Generator, 가스공급장치, Scrubber 등을 이해하고 정상 동작이 되도록 조작할 수 있다.
- 1.4 박막 종류 별 장비 별로 Recipe를 구성하여 공정 진행 후, 박막형성공정에 대한 평가를 진행하고 수정/보완할 수 있다.
42분
5차시 박막장비 Set-Up하기_Physical process - 1.1 각종 CVD와 PVD 장비의 역할을 이해하고, Set-up 장비에 맞는 유틸리티(utility)와 유틸리티 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다.
- 1.2 다양한 박막 장비별로 Wafer Transfer System, Process Chamber 조작, 공정에 따른 적절한 플라즈마(Plasma) 발생방법 선정, Wafer Chuck, 진공펌프 및 적절한 펌프 선정, Chiller, RF Generator, 가스공급장치, Scrubber 등을 이해하고 정상 동작이 되도록 조작할 수 있다.
- 1.4 박막 종류 별 장비 별로 Recipe를 구성하여 공정 진행 후, 박막형성공정에 대한 평가를 진행하고 수정/보완할 수 있다.
33분
6차시 단위공정 최적화하기_Damascene process - 6.1 공정개선 요구사항을 확인하여 성능개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다.
- 6.2 성능 개선의 요구에 따라 전/후 공정을 고려하여 단위공정을 효율적으로 재구성할 수 있다.
- 6.3 공정 최적화를 통해 효율적인 공정을 설계하고 검증할 수 있다.
- 6.4 공정의 특성을 객관적으로 평가하여 개발된 공정의 적합성을 판별할 수 있다.
27분
유의사항
학습한경유의사항 수강진행이 불가능한 경우