서브 경로
총15차시 5주 과정
김창호 외 4명 선생님
수강대상
직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
교육대상
신입
과장/선임
부장/수석
교재안내
※교재는 환급제외 대상입니다.[학습자료] 반도체 공정 중요 Module 이해
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훈련목표
- 반도체 산업 신입사원으로 반도체 기본적 개념과 Fab/장비들에 대한 개념을 알고 이를 업무 시 사용할 수 있다.
- 각 단위 공정 들이 소자에서 하는 역할에 대해 총체적인 이해 증진을 할 수 있어 개발 방향 설정에 도움이 된다.
- 기획/마케팅/구매등의 부서에서 일을 하게 되면서 현재 자사에서 생산 되는 제품에 대한 기본적인 이해할 수 있다.
훈련대상
- 반도체 관련 기업의 업무를 진행하고 있는 사원~과장, 책임급
- 반도체 관련 기업에서 영업을 진행하고 있는 사원~과장, 책임급
- 반도체와 유사한 공정 Process를 진행하고 있는 기업의 사원~과장, 책임급
교수진소개
내용전문가
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
현) 엘캠퍼스 교강사
내용전문가
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
내용전문가
조남면 선생님
학력
- 서울대학교 무기재료공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 13년 3개월
- 삼성전자 공정개발팀 ( 13 년 3 개월 )
- 삼성전자 공정개발팀 ( 13 년 3 개월 )
내용전문가
김기세 선생님
학력
- 인하대학교 전자공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 30년 0개월
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
수료기준
| 수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
|---|---|---|
| 시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 5점. (총 100% 반영) |
| 진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
훈련내용
| 차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
|---|---|---|---|
| 1차시 | Isolation Technology_I (Device Isolation 과 LOCOS)_공정흐름도 해석하기 | - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정 흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
31분 |
| 2차시 | Isolation Technology_II (LOCOS 문제점과 STI)_공정흐름도 해석하기 | - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정 흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
29분 |
| 3차시 | Gate Technology_I (MOSFET Scaling)_공정흐름도 해석하기 | - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정 흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
25분 |
| 4차시 | Gate Technology_II (Nanoscale MOSFET)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 28분 |
| 5차시 | Gate Technology_III (Gate Dielectrics)_단위공정 최적화하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 31분 |
| 6차시 | Gate Technology_IV (Gate Electrode)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 30분 |
| 7차시 | Gate Technology_V (Dual Metal Gate / Shallow Junction)_공정흐름도 해석하기 | - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. | 31분 |
| 8차시 | Gate Technology_VI (Channel Engineering)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 30분 |
| 9차시 | Gate Technology_VII (3D MOSFET)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. |
29분 |
| 10차시 | Capacitor Technology_I (DRAM 동작)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 32분 |
| 11차시 | Capacitor Technology_II (Capacitor 구조 발전)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 34분 |
| 12차시 | Floating Gate Technology_I (Flash Cell 동작)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 28분 |
| 13차시 | Floating Gate Technology_II (Flash Cell 기술 개발)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 29분 |
| 14차시 | Interconnect Technology_I (Interconnect 및 Contact 기술)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 29분 |
| 15차시 | Interconnect Technology_II (Cu Interconnect 및 Low-k Dielectrics)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 36분 |
수강후기
더보기
| 번호 | 과정 분류 | 제목 | 등록일 | 조회수 |
|---|---|---|---|---|
| 10 | 반도체 | 매유 유익했습니다! | 2025-02-18 | 107 |
| 9 | 반도체 | 좋은 수업 감사합니다.. | 2024-11-24 | 235 |
| 8 | 반도체 | 후공정에 대하여 체계적으로 잘 이해되었습니다. | 2024-11-13 | 233 |
| 7 | 반도체 | 후공정에 대한 전반적인 이해에 도움이 많이 되었습니다. | 2024-11-06 | 208 |
| 6 | 반도체 | 신입교육으로 받은 좋은강의 | 2024-11-04 | 227 |
| 5 | 반도체 | 교육후기 | 2024-10-31 | 205 |
| 4 | 반도체 | 의미 있는 교육이였습니다. | 2024-09-23 | 284 |
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유의사항
