[학습자료] 반도체의 정석 - 기본편
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수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
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시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 10문항 출제 총 100점만점, 배점 각 10점.(총 80%반영) - 과제 서술형 문제 1문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 100점.(총 20%반영) |
진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
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1차시 | 반도체 개론(1)_공정흐름도 해석하기 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. | 34분 |
2차시 | 반도체 개론(2)_제품시장 조사하기 | - 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다. - 파악된 자료, 시장조사기관의 분석자료 및 인터넷의 정보를 통해 개발 제품에 대한 전반적인 시장 동향을 분석할 수 있다. - 시장동향 분석결과를 바탕으로 분석보고서를 작성할 수 있다. |
39분 |
3차시 | 반도체 산업(1)_제품사양 수립하기 | - 시장 및 기술 분석결과에 따라 개발하고자 하는 제품의 기능을 정의할 수 있다. - 정의된 제품의 기능들에 대하여 개발 가능한 수준여부를 판단할 수 있다. |
51분 |
4차시 | 반도체 산업(2)_제품사양 수립하기 | - 시장 및 기술 분석결과에 따라 개발하고자 하는 제품의 기능을 정의할 수 있다. - 정의된 제품의 기능들에 대하여 개발 가능한 수준여부를 판단할 수 있다. |
33분 |
5차시 | 반도체 공정(1)_공정흐름도 해석하기 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
40분 |
6차시 | 반도체 공정(2)_공정흐름도 해석하기 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
44분 |
7차시 | 반도체 공정(3)_공정흐름도 해석하기 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
35분 |
8차시 | 반도체 공정(4)_패키지전공정개발하기 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. |
33분 |
9차시 | 반도체 소자_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
49분 |
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